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Avance en chips 3D podría crear memorias USB de hasta 4 TB en 5 años

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Aunque las memorias USB o pendrives se han convertido rápidamente en uno de los accesorios favoritos de los usuarios por su conveniencia y economía, su actual modelo de desarrollo parece condenado por razones físicas.

El tema es simple: un chip de memoria NAND flash -que alberga los datos en estos dispositivos portátiles- sólo puede albergar un máximo de electrones dentro de un espacio reducido antes de sacrificar velocidad o confiabilidad, límite que según fabricantes como SanDisk, podría alcanzarse dentro de 3 ó 4 generaciones más.

Sin embargo Toshiba y Samsung ya trabajan en una ingeniosa solución que podría despejar nuevamente las barreras de estas memorias: los chips 3D, un tipo de bloque que aumenta el área disponible y la densidad de datos, permitiendo hasta 1 TB de almacenamiento por chip.

El anuncio hecho en el Simposio 2009 de Tecnología y Circuitos VLSI en Kyoto, donde Toshiba mostró un prototipo de 32 GB, aunque Samsung y su tecnología VG-NAND parece ser la más prometedora gracias a su eficiencia en el manejo de la información.

Bajo su concepto, dentro de 5 años la empresa podría fabricar pendrives de hasta 4 GB, según informa ZDNet.

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