Tecnología
Lunes 29 abril de 2019 | Publicado a las 11:28 · Actualizado a las 13:55
Científicos proponen modelo que podría alargar la vida de dispositivos electrónicos
Por Camilo Suazo
La información es de Comunicado de Prensa
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Científicos propusieron recientemente un modelo que podría alargar la vida de dispositivos electrónicos.

La investigaci√≥n, publicada en la √ļltima edici√≥n de la revista Physical Review Applied, fue una colaboraci√≥n chileno-francesa liderada por Karin Alfaro, investigadora del Instituto Milenio de √ďptica MIRO.

‚ÄúLo que hicimos fue postular un modelo matem√°tico para la oxidaci√≥n de pel√≠culas delgadas que contienen aluminio, muy abundante en la electr√≥nica contempor√°nea‚ÄĚ, explic√≥ Karin Alfaro, tambi√©n estudiante del Doctorado en Ciencias F√≠sicas y Matem√°ticas, de la Facultad de Ciencias de la Pontificia Universidad Cat√≥lica de Valpara√≠so.

La investigaci√≥n se centr√≥ en la interfaz, detall√≥. ‚ÄúAs√≠ denominamos el l√≠mite que separan la parte oxidada de la no oxidada. Aqu√≠ descubrimos que la forma de dicha interfaz (su geometr√≠a) puede mejorar las propiedades de ciertos dispositivos. Por ejemplo, en un l√°ser tipo VCSEL (como el que hay dentro de algunos celulares) su haz de luz puede aumentar su intensidad o podr√≠a requerir menos energ√≠a para hacerlo funcionar‚ÄĚ, a√Īadi√≥.

Lo interesante de este trabajo es que “ataca un problema fundamental en la tecnolog√≠a de l√°ser y materiales basados en semiconductores como es la oxidaci√≥n‚ÄĚ, sostuvo Marcel Clerc, acad√©mico del Departamento de F√≠sica FCFM de la Universidad de Chile y Subdirector del Instituto Milenio de √ďptica MIRO.

El desafío de trabajar a escalas micrométricas

Para llegar a este logro los científicos tuvieron que, en primer lugar, manipular experimentalmente las películas que son aproximadamente del ancho de un cabello humano y luego describir los cambios de la interfaz utilizando modelos teóricos apoyado de simulaciones numéricas.

‚ÄúFue algo muy desafiante, sin ir m√°s lejos antes de esta investigaci√≥n, los modelos te√≥ricos no pod√≠an describir la evoluci√≥n de la geometr√≠a…pero eso ya es pasado‚ÄĚ, puntualiz√≥ Alfaro.

Para lograr lo anterior, en la Universidad de Toulouse, se utilizaron cámaras de vacío, cámaras de adquisición de imágenes de alta resolución y de una sala limpia para la preparación de la muestra, mientras que en Chile fueron requeridos computadores con alto poder de cálculo.

Con esos datos los cient√≠ficos chilenos llevaron a cabo el dise√Īo de un modelo que logr√≥ predecir la geometr√≠a del frente de oxidaci√≥n h√ļmeda, donde Karin tuvo un papel central en la descripci√≥n te√≥rica adem√°s de su caracterizaci√≥n num√©rica.

Pixabay | Pexels (CCO)
Pixabay | Pexels (CCO)

Con estos resultados, el equipo espera encontrar la velocidad de dicha interfaz, así como estudiar geometrías más complejas o conocer cómo funciona el modelo en materiales que favorezcan la oxidación.

El equipo de trabajo estuvo compuesto por Karin Alfaro, su profesor guía el Doctor René Rojas Cortés, Director del Instituto de Física de la Pontificia Universidad Católica de Valparaíso; el Doctor Marcel Clerc, académico del Departamento de Física de la Universidad de Chile y Subdirector del Instituto Milenio MIRO, además de científicos CNRS y de la Université de Toulouse en Francia.

Para ver la publicación oficial en la revista Physical Review Applied, puedes ingresar en este enlace.

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