La Universidad de Tokio desarrolló una “memoria orgánica flash“, no volátil, que tiene la misma estructura básica de una memoria flash, pero fabricada con materiales orgánicos.
El voltaje de lectura (1V) y borrado (6V) de esta nueva memoria flash son muy bajos, mientras los datos se pueden grabar y borrar más de 1.000 veces sin algún problema.
La memoria orgánica flash fue desarrolla por un grupo encabezado por Takeo Someya y Tsuyoshi Sekitani, profesor e investigador asociado en el Departamento de Ingeniería Eléctrica y de Sistemas de Información de la Escuela Superior de Ingeniería de la Universidad de Tokio.
El prototipo utiliza una hoja de resina de naftalato de polietileno (PEN) como sustrato y ordena celdas de memoria de dos transistores (2T) en una estructura de matriz 26 x 26. La hoja es lo suficientemente flexible para ser doblada hasta que su radio de curvatura alcanza 6 mm, sin causar degradación mecánica o eléctrica, y puede (en teoría) utilizarse como una memoria no volátil.
“Es una memoria flash porque está equipada con transistores de puerta flotante, que también se utilizan en las memorias flash basadas en silicio. Desafortunadamente, hasta ahora la memoria orgánica tiene un tiempo de retención de sólo un día, pero esto puede solucionarse con la reducción de tamaño y el empleo de un mejor aislante, así podrían emplearse en papel electrónico y dispositivos de gran superficie, según comentan los investigadores.
